جيجازين
كان سد الفجوة التكنولوجية الجديدة يمثل تحديًا كبيرًا لشركة Intel وبعد ثلاث سنوات تقريبًا بعد الكشف عن ذاكرة Xpoint ثلاثية الأبعاد ، توصلت الشركة أخيرًا إلى Optane DC وعرفته على أنه 'فئة جديدة تمامًا' لتخزين البيانات والتكنولوجيا.
يعمل Optane DC بشكل مختلف عن DRAM التقليدي ويعمل على DIMM. سيعمل هذا الابتكار في الواقع على سد فجوة DRAM وتخزين الذاكرة الثانوية عن طريق زيادة حجم الذاكرة المتوفرة على وحدة المعالجة المركزية إلى 3 تيرابايت. تتلاءم شريحة الذاكرة البسيطة مع اللوحة الأم لجهاز الكمبيوتر. النقطة الأساسية التي تقدمها الشركة هي الاستقرار حتى عندما لا يعمل النظام بكامل طاقته.
سيتوفر الجهاز بثلاث سعات تخزين مختلفة 128 جيجابايت و 256 جيجابايت و 512 جيجابايت. النظام الوحيد الذي سيدعم أجهزة التخزين هذه يشمل معالجات Xeon ، الحديثة التي تمت ترقيتها. وفقًا لشركة Intel ، فإن ما يجعل بطاقة الذاكرة هذه مميزة للغاية هي حقيقة أنها فعالة من حيث التكلفة وتعمل بشكل جيد نسبيًا حتى الآن. وبالتالي يتم تصنيفها على أنها 'أفضل حل قاعدة بيانات'
تعد Intel بزيادة تصل إلى 9.4 مرات في أداء العمليات في الثانية من خلال تقليل زمن الوصول بشكل أساسي. يتم ذلك عن طريق تخزين البيانات بالقرب من المعالج لتقليل وقت إعادة التشغيل من دقائق إلى ثوانٍ. سيتم حفظ البيانات عالية التشفير في الجهاز. ليس هذا فقط ، توفر شريحة الذاكرة تحليلًا أسرع للبيانات والمزيد من حالات حدوث الخادم.
'على عكس ذاكرة DRAM التقليدية ، فإن الذاكرة الثابتة Intel Optane DC ستوفر مزيجًا غير مسبوق من السعة العالية والقدرة على تحمل التكاليف والمثابرة. من خلال توسيع سعة ذاكرة النظام المعقولة التكلفة (أكبر من 3 تيرابايت لكل مقبس وحدة المعالجة المركزية) ، يمكن للعملاء النهائيين استخدام الأنظمة الممكّنة مع هذه الفئة الجديدة من الذاكرة لتحسين أحمال العمل بشكل أفضل عن طريق نقل كميات أكبر من البيانات والحفاظ عليها بالقرب من المعالج وتقليل زمن الوصول الأعلى لجلب البيانات من تخزين النظام ، ' كتبت ليزا سبيلمان ، نائب الرئيس والمدير العام لمنتجات Intel Xeon وتسويق مركز البيانات في Intel.
تعمل شركة إنتل على تعزيز الإتاحة لمطوري التطبيقات على مدى الإتاحة للجماهير لاستغلال أجزاء كبيرة من الذاكرة التي تم تقديمها حديثًا بطريقة فعالة وأفضل.
