أحدث رقائق السيليكون 6 نانومتر من سامسونج تم إنتاجها لسوق الهواتف الذكية في أمريكا الشمالية ، والمخصصة لشركة كوالكوم؟

المعدات / أحدث رقائق السيليكون 6 نانومتر من سامسونج تم إنتاجها لسوق الهواتف الذكية في أمريكا الشمالية ، والمخصصة لشركة كوالكوم؟ 2 دقيقة للقراءة

سامسونج



يُقال إن شركة Samsung Electronics تنتج بكميات كبيرة رقائق السيليكون 6 نانومتر ، وهي أصغر حتى من رقائق 7 نانومتر التي تنتجها TSMC لـ AMD و NVIDIA. من المتوقع أن يمتد إتقان تقنية 6nm EUV إلى أحجام أصغر بما في ذلك 5nm و 3 nm ، وهذا أيضًا في المستقبل القريب. يبدو أن سامسونج تصنع رقائق السيليكون 6 نانومتر لسوق أمريكا الشمالية.

لم تنجح Samsung في اللحاق بمنافستها التايوانية في حجم أشباه الموصلات فحسب ، بل تجاوزتها أيضًا بموت أصغر حجمًا. بدأت الشركة في تطوير خط إنتاج عملية 6 نانومتر للتنافس مع TSMC في بعض الأحيان. لكن المنشورات الإخبارية الكورية تشير الآن إلى أن سامسونج قد تجاوزت مرحلة التصميم والتطوير لرقائق السيليكون 6 نانومتر. وفقًا للمنشورات المحلية ، بدأت Samsung الإنتاج الضخم لأشباه موصلات 6 نانومتر (نانومتر) استنادًا إلى تقنية Extreme UltraViolet (EUV) الشهر الماضي نفسه.



سامسونج تتقدم على TSMC في إنتاج كميات كبيرة من رقائق السيليكون 6 نانومتر في وقت قياسي:

بدأت شركة Samsung في إنتاج وتوريد منتجات 7nm على نطاق واسع للعملاء العالميين في أبريل من العام الماضي. بمعنى آخر ، لم تستغرق الشركة سوى ثمانية أشهر لبدء الإنتاج الضخم لمنتجات 6 نانومتر. لا داعي للإضافة ، يبدو أن دورة ترقية Samsung لتقنية عملية التصنيع الدقيق قد تم تقصيرها بشكل كبير.



وفقًا للتقارير المحلية ، بدأت Samsung Electronics في الإنتاج الضخم لمنتجات 6nm استنادًا إلى تقنية EUV في خط S3 في حرم Hwaseong في مقاطعة Gyeonggi في ديسمبر من العام الماضي. تشير المصادر إلى أن شركة Samsung قد تولت إنتاج شرائح السيليكون 6 نانومتر بشكل رئيسي لسوق أمريكا الشمالية. علاوة على ذلك ، تشير التقارير إلى أن سامسونج ستزود غالبية الأسهم للعملاء من الشركات الكبرى في المنطقة. خلص خبراء الصناعة إلى أن منتجات سامسونج بتقنية 6 نانومتر تتجه إلى شركة كوالكوم ، ثاني أكبر شركة في العالم من إنتاج شركة فابليس.



إن الريادة المفاجئة لشركة Samsung في إنتاج أصغر رقاقة رقاقة سيليكون هي في الواقع مفاجأة لأن عملاق أشباه الموصلات الكوري كان متأخرًا في تطوير عملية 7 نانومتر بعد عمليات 16 نانومتر و 12 نانومتر. كان التأخير عميقاً لدرجة أن TSMC تمكنت من احتكار إمداد AP لشركة Apple لجهاز iPhone ، أكبر عميل fabless ، من خلال تقنية 7 نانومتر.

بعد الإنتاج الضخم الناجح لرقائق 6 نانومتر ، يشاع أن شركة Samsung Electronics تعمل على تطوير منتجات 5 نانومتر ، والتي قد يتم إنتاجها بكميات كبيرة في النصف الأول من هذا العام. إذا لم يكن ذلك مفاجئًا بدرجة كافية ، فمن المعتقد أن الشركة قادرة على إنتاج كميات كبيرة من منتجات 3 نانومتر أيضًا في نفس الإطار الزمني. تشير الشائعات إلى أن سامسونج في المراحل الأخيرة من تطوير عملية إنتاج لشريحة 3 نانومتر استنادًا إلى تقنية Gate-All-Around (GAA). ومن المثير للاهتمام أن هذه التقنية تتغلب على قيود تصغير أشباه الموصلات ، فتفتح الباب نظريًا لمزيد من تقليص أحجام القالب.

بالعودة إلى عام 2014 ، عندما كانت عملية Fin Field-Effect Transistor (FinFET) التي يبلغ قطرها 14 نانومتر تعتبر رائدة ، كان لشركة Samsung تقدمًا كبيرًا على TSMC. لكن الأخيرة تفوقت على عملاق التكنولوجيا الكوري الجنوبي من خلال الإنتاج الضخم لرقائق 7 نانومتر بعد فترة قصيرة. اذا حكمنا من خلال صراعات كانت إنتل تمر بها ، لا التطوير ولا الإنتاج الضخم لرقائق السيليكون في عملية FinFET الأمر بسيط.

العلامات كوالكوم سامسونج